0 0 0
  8. FDB120N10

Транзистори з каналом N SMD FDB120N10

 
FDB120N10
 
ONSEMI
Артикул: 532658
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 52А; Idm: 296А; 170Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
206.38 грн
5+
186.46 грн
7+
143.43 грн
20+
135.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
52А(1599488)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
86нКл(1632975)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
296А(1790425)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB120N10
ONSEMI
Артикул: 532658
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 52А; Idm: 296А; 170Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
206.38 грн
5+
186.46 грн
7+
143.43 грн
20+
135.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
52А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
86нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
296А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g