0 0 0
  8. FDB13AN06A0

Транзисторы с каналом N SMD FDB13AN06A0

 
FDB13AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076009
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.37 грн
5+
120.41 грн
9+
112.54 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
62А(1479409)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
115Вт(1702082)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,619 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB13AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076009
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.37 грн
5+
120.41 грн
9+
112.54 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
62А
Опір в стані провідності
34мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
115Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
29нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,619 g