0 0 0
  8. FDB2532

Транзистори з каналом N SMD FDB2532

 
FDB2532
 
ONSEMI
Артикул: 076012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
290.80 грн
5+
203.96 грн
14+
192.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 381 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
56А(1479382)
Опір в стані провідності
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
82нКл(1479300)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,792 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB2532
ONSEMI
Артикул: 076012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
290.80 грн
5+
203.96 грн
14+
192.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 381 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
56А
Опір в стані провідності
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
82нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,792 g