0 0 0
  8. FDB28N30TM

Транзистори з каналом N SMD FDB28N30TM

 
FDB28N30TM
 
ONSEMI
Артикул: 076016
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
124.29 грн
5+
109.15 грн
11+
95.61 грн
29+
90.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 658 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
0,129Ом(1790184)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
UniFET™(1632958)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,764 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB28N30TM
ONSEMI
Артикул: 076016
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
124.29 грн
5+
109.15 грн
11+
95.61 грн
29+
90.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 658 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
0,129Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Технологія
UniFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,764 g