0 0 0
  8. FDB33N25TM

Транзистори з каналом N SMD FDB33N25TM

 
FDB33N25TM
 
ONSEMI
Артикул: 076017
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.83 грн
5+
121.10 грн
10+
104.37 грн
26+
98.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
33А(1479307)
Опір в стані провідності
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
235Вт(1742117)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
48нКл(1479306)
Технологія
UniFET™(1632958)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,885 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB33N25TM
ONSEMI
Артикул: 076017
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.83 грн
5+
121.10 грн
10+
104.37 грн
26+
98.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
33А
Опір в стані провідності
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
235Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
48нКл
Технологія
UniFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,885 g