0 0 0
  8. FDB3652

Транзистори з каналом N SMD FDB3652

 
FDB3652
 
ONSEMI
Артикул: 076019
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 61А; 150Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.04 грн
5+
121.90 грн
10+
104.37 грн
26+
98.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 506 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
61А(1479406)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
53нКл(1479049)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,858 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDB3652
ONSEMI
Артикул: 076019
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 61А; 150Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.04 грн
5+
121.90 грн
10+
104.37 грн
26+
98.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 506 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
61А
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
53нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,858 g