Транзистори з каналом N SMD FDC2612

 
FDC2612
 
Артикул: 1169012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
37.27 грн
25+
32.19 грн
36+
27.75 грн
98+
26.17 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
1,1А(1492262)
Опір в стані провідності
1,43Ом(1632963)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDC2612
ONSEMI
Артикул: 1169012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
37.27 грн
25+
32.19 грн
36+
27.75 грн
98+
26.17 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
1,1А
Опір в стані провідності
1,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g