0 0 0
  8. FDC5614P

Транзистори з каналом P SMD FDC5614P

 
FDC5614P
 
ONSEMI
Артикул: 140640
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
25+
28.77 грн
50+
20.08 грн
137+
19.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4154 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDC5614P
ONSEMI
Артикул: 140640
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
25+
28.77 грн
50+
20.08 грн
137+
19.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4154 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
24нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g