0 0 0
  7. FDC6301N

Транзистори багатоканальні FDC6301N

 
FDC6301N
 
ONSEMI
Артикул: 000219
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.92 грн
25+
14.14 грн
89+
11.08 грн
245+
10.48 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1422 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
0,22А(1632940)
Опір в стані провідності
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,9Вт(1742026)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,7нКл(1632950)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
±0,5В(1979994)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори багатоканальні FDC6301N
ONSEMI
Артикул: 000219
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
15.92 грн
25+
14.14 грн
89+
11.08 грн
245+
10.48 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1422 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
0,22А
Опір в стані провідності
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,7нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
±0,5В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g