Транзистори багатоканальні FDC6312P

 
FDC6312P
 
Артикул: 390115
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
46.26 грн
10+
27.43 грн
25+
25.28 грн
48+
20.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1405 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-2,3А(1479077)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,96Вт(1741917)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори багатоканальні FDC6312P
ONSEMI
Артикул: 390115
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
46.26 грн
10+
27.43 грн
25+
25.28 грн
48+
20.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1405 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-2,3А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g