0 0 0
  7. FDC6318P

Транзистори багатоканальні FDC6318P

 
FDC6318P
 
ONSEMI
Артикул: 000223
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
44.83 грн
25+
39.11 грн
29+
34.31 грн
79+
32.46 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2906 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-2,5А(1492293)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,96Вт(1741917)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8нКл(1479070)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g
 
Транзистори багатоканальні FDC6318P
ONSEMI
Артикул: 000223
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
44.83 грн
25+
39.11 грн
29+
34.31 грн
79+
32.46 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2906 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-2,5А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g