0 0 0
  8. FDC638APZ

Транзистори з каналом P SMD FDC638APZ

 
FDC638APZ
 
ONSEMI
Артикул: 140646
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.11 грн
55+
18.51 грн
151+
17.48 грн
1000+
16.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDC638APZ
ONSEMI
Артикул: 140646
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.11 грн
55+
18.51 грн
151+
17.48 грн
1000+
16.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g