0 0 0
  8. FDC638P

Транзистори з каналом P SMD FDC638P

 
FDC638P
 
ONSEMI
Артикул: 140647
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
34.72 грн
52+
19.71 грн
141+
18.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3075 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDC638P
ONSEMI
Артикул: 140647
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
34.72 грн
52+
19.71 грн
141+
18.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3075 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g