0 0 0
  7. FDC6401N

Транзистори багатоканальні FDC6401N

 
FDC6401N
 
ONSEMI
Артикул: 000226
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
41.50 грн
25+
32.15 грн
40+
24.96 грн
109+
23.60 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
106мОм(1713735)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,96Вт(1741917)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
4,6нКл(1609769)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори багатоканальні FDC6401N
ONSEMI
Артикул: 000226
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
41.50 грн
25+
32.15 грн
40+
24.96 грн
109+
23.60 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
106мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
4,6нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g