0 0 0
  7. FDC6561AN

Транзистори багатоканальні FDC6561AN

 
FDC6561AN
 
ONSEMI
Артикул: 000229
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.20 грн
25+
25.66 грн
50+
19.86 грн
137+
18.78 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2615 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,5А(1441399)
Опір в стані провідності
152мОм(1713736)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,96Вт(1741917)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,2нКл(1610016)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори багатоканальні FDC6561AN
ONSEMI
Артикул: 000229
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.20 грн
25+
25.66 грн
50+
19.86 грн
137+
18.78 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2615 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,5А
Опір в стані провідності
152мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,2нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g