0 0 0
  8. FDC658AP

Транзистори з каналом P SMD FDC658AP

 
FDC658AP
 
ONSEMI
Артикул: 964400
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.90 грн
48+
20.66 грн
132+
19.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2921 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
8,1нКл(1479223)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDC658AP
ONSEMI
Артикул: 964400
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
42.90 грн
48+
20.66 грн
132+
19.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2921 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
8,1нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g