0 0 0
  8. FDD10AN06A0

Транзистори з каналом N SMD FDD10AN06A0

 
FDD10AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076030
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 135Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.82 грн
5+
122.69 грн
10+
101.18 грн
27+
95.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1834 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
135Вт(1702216)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
4,6нКл(1609769)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,384 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDD10AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076030
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 135Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.82 грн
5+
122.69 грн
10+
101.18 грн
27+
95.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1834 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
135Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
4,6нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,384 g