0 0 0
  8. FDD14AN06LA0-F085

Транзистори з каналом N SMD FDD14AN06LA0-F085

 
FDD14AN06LA0-F085
 
ONSEMI
Артикул: 524522
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 125Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
79.45 грн
16+
66.74 грн
42+
62.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDD14AN06LA0-F085
ONSEMI
Артикул: 524522
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 125Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.40 грн
5+
79.45 грн
16+
66.74 грн
42+
62.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g