0 0 0
  8. FDD306P

Транзистори з каналом P SMD FDD306P

 
FDD306P
 
ONSEMI
Артикул: 140651
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
58.16 грн
24+
43.70 грн
65+
41.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 786 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-6,7А(1479042)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
52Вт(1507407)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,399 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDD306P
ONSEMI
Артикул: 140651
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6,7А; 52Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
58.16 грн
24+
43.70 грн
65+
41.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 786 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-6,7А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,399 g