0 0 0
  8. FDD3860

Транзистори з каналом N SMD FDD3860

 
FDD3860
 
ONSEMI
Артикул: 532661
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; Idm: 60А; 83Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.90 грн
5+
67.73 грн
19+
55.17 грн
50+
52.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1830 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
6,2А(1441276)
Опір в стані провідності
64мОм(1643348)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,399 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDD3860
ONSEMI
Артикул: 532661
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; Idm: 60А; 83Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.90 грн
5+
67.73 грн
19+
55.17 грн
50+
52.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1830 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
6,2А
Опір в стані провідності
64мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
31нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,399 g