0 0 0
  8. FDD6680AS

Транзистори з каналом N SMD FDD6680AS

 
FDD6680AS
 
ONSEMI
Артикул: 524526
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; Idm: 100А; 60Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
48.31 грн
25+
43.46 грн
28+
36.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
55А(1441569)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDD6680AS
ONSEMI
Артикул: 524526
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; Idm: 100А; 60Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
48.31 грн
25+
43.46 грн
28+
36.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
55А
Опір в стані провідності
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
29нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g