0 0 0
  7. FDG1024NZ

Транзистори багатоканальні FDG1024NZ

 
FDG1024NZ
 
ONSEMI
Артикул: 000231
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,2А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.57 грн
10+
34.33 грн
48+
21.06 грн
131+
19.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1,2А(1479094)
Опір в стані провідності
389мОм(1713738)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,36Вт(1741851)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,6нКл(1479095)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори багатоканальні FDG1024NZ
ONSEMI
Артикул: 000231
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,2А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.57 грн
10+
34.33 грн
48+
21.06 грн
131+
19.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1,2А
Опір в стані провідності
389мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,6нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g