0 0 0
  7. FDG6301N

Транзистори багатоканальні FDG6301N

 
FDG6301N
 
ONSEMI
Артикул: 000232
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.54 грн
69+
14.56 грн
188+
13.77 грн
500+
13.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 155 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
0,22А(1632940)
Опір в стані провідності
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,4нКл(1632941)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори багатоканальні FDG6301N
ONSEMI
Артикул: 000232
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.54 грн
69+
14.56 грн
188+
13.77 грн
500+
13.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 155 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
0,22А
Опір в стані провідності
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,4нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g