0 0 0
  7. FDG6303N

Транзистори багатоканальні FDG6303N

 
FDG6303N
 
ONSEMI
Артикул: 532676
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 500мА; Idm: 1,3А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.28 грн
25+
15.23 грн
90+
11.44 грн
240+
10.82 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1125 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
0,5А(1643334)
Опір в стані провідності
770мОм(1898321)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
2,3нКл(1479230)
Технологія
DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
1,3А(1811003)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзистори багатоканальні FDG6303N
ONSEMI
Артикул: 532676
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 500мА; Idm: 1,3А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.28 грн
25+
15.23 грн
90+
11.44 грн
240+
10.82 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1125 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
0,5А
Опір в стані провідності
770мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
2,3нКл
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,3А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g