0 0 0
  7. FDG6304P

Транзистори багатоканальні FDG6304P

 
FDG6304P
 
ONSEMI
Артикул: 000233
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -25В; -0,41А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.09 грн
64+
15.70 грн
174+
14.85 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
-25В(1492223)
Струм стока
-0,41А(1643505)
Опір в стані провідності
1,9Ом(1441363)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,5нКл(1632943)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Транзистори багатоканальні FDG6304P
ONSEMI
Артикул: 000233
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -25В; -0,41А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.09 грн
64+
15.70 грн
174+
14.85 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
-25В
Струм стока
-0,41А
Опір в стані провідності
1,9Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,5нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g