0 0 0
  7. FDG6308P

Транзистори багатоканальні FDG6308P

 
FDG6308P
 
ONSEMI
Артикул: 000235
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,6А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.63 грн
25+
18.63 грн
70+
14.22 грн
191+
13.45 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-600мА(1492342)
Опір в стані провідності
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,5нКл(1632945)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори багатоканальні FDG6308P
ONSEMI
Артикул: 000235
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,6А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.63 грн
25+
18.63 грн
70+
14.22 грн
191+
13.45 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-600мА
Опір в стані провідності
0,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,5нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g