0 0 0
  7. FDG6317NZ

Транзистори багатоканальні FDG6317NZ

 
FDG6317NZ
 
ONSEMI
Артикул: 389959
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.86 грн
10+
23.66 грн
25+
18.80 грн
94+
10.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,7А(1632946)
Опір в стані провідності
0,56Ом(1596286)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDG6317NZ
ONSEMI
Артикул: 389959
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.86 грн
10+
23.66 грн
25+
18.80 грн
94+
10.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,7А
Опір в стані провідності
0,56Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g