0 0 0
  7. FDG6335N

Транзисторы многоканальные FDG6335N

 
FDG6335N
 
ONSEMI
Артикул: 000239
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.14 грн
10+
23.20 грн
55+
18.19 грн
149+
17.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1977 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,7А(1632946)
Опір в стані провідності
442мОм(1713741)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,4нКл(1632948)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6335N
ONSEMI
Артикул: 000239
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 0,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.14 грн
10+
23.20 грн
55+
18.19 грн
149+
17.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1977 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,7А
Опір в стані провідності
442мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,4нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g