0 0 0
  7. FDG8850NZ

Транзистори багатоканальні FDG8850NZ

 
FDG8850NZ
 
ONSEMI
Артикул: 000240
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,75А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.36 грн
25+
24.51 грн
54+
18.65 грн
147+
17.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
0,75А(1632949)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,36Вт(1741851)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,44нКл(1609802)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори багатоканальні FDG8850NZ
ONSEMI
Артикул: 000240
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,75А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.36 грн
25+
24.51 грн
54+
18.65 грн
147+
17.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
0,75А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,44нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g