Транзистори з каналом N THT FDH3632

 
FDH3632
 
Артикул: 532727
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 800мА; 310Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
347.29 грн
3+
311.61 грн
5+
238.66 грн
12+
225.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,8А(1635013)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT FDH3632
ONSEMI
Артикул: 532727
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 800мА; 310Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
347.29 грн
3+
311.61 грн
5+
238.66 грн
12+
225.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,8А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g