0 0 0
  7. FDMA1027P

Транзистори багатоканальні FDMA1027P

 
FDMA1027P
 
ONSEMI
Артикул: 622826
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3А; Idm: -6А; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
93.31 грн
10+
38.36 грн
34+
28.87 грн
94+
27.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6нКл(1479087)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDMA1027P
ONSEMI
Артикул: 622826
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3А; Idm: -6А; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
93.31 грн
10+
38.36 грн
34+
28.87 грн
94+
27.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
0,24Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g