Транзисторы многоканальные FDMA1029PZ

 
FDMA1029PZ
 
Артикул: 565115
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,1А; Idm: -6А; 1,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
31+
32.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3,1А(1492493)
Опір в стані провідності
141мОм(1805209)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
1,4Вт(1449373)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6А(1810531)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMA1029PZ
ONSEMI
Артикул: 565115
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,1А; Idm: -6А; 1,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
31+
32.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3,1А
Опір в стані провідності
141мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g