0 0 0
  7. FDMA2002NZ

Транзистори багатоканальні FDMA2002NZ

 
FDMA2002NZ
 
ONSEMI
Артикул: 516735
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
40.83 грн
25+
36.77 грн
36+
27.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,9А(1492567)
Опір в стані провідності
268мОм(1880633)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,5Вт(1487290)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3нКл(1609780)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDMA2002NZ
ONSEMI
Артикул: 516735
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
40.83 грн
25+
36.77 грн
36+
27.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,9А
Опір в стані провідності
268мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g