0 0 0
  8. FDMA291P

Транзистори з каналом P SMD FDMA291P

 
FDMA291P
 
ONSEMI
Артикул: 140660
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
36.00 грн
25+
32.42 грн
41+
25.03 грн
111+
23.68 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6,6А(1610020)
Опір в стані провідності
98мОм(1479060)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,4Вт(1507584)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDMA291P
ONSEMI
Артикул: 140660
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
36.00 грн
25+
32.42 грн
41+
25.03 грн
111+
23.68 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6,6А
Опір в стані провідності
98мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g