0 0 0
  8. FDMA530PZ

Транзистори з каналом P SMD FDMA530PZ

 
FDMA530PZ
 
ONSEMI
Артикул: 140662
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.20 грн
5+
49.11 грн
25+
43.55 грн
27+
37.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 598 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-6,8А(1479039)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,4Вт(1507584)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDMA530PZ
ONSEMI
Артикул: 140662
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.20 грн
5+
49.11 грн
25+
43.55 грн
27+
37.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 598 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-6,8А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g