0 0 0
  8. FDMA86108LZ

Транзисторы с каналом N SMD FDMA86108LZ

 
FDMA86108LZ
 
ONSEMI
Артикул: 600629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,2А; Idm: 6А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.12 грн
5+
61.97 грн
20+
51.64 грн
53+
49.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
2,2А(1501033)
Опір в стані провідності
446мОм(1926615)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,4Вт(1507584)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3нКл(1609780)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
6А(1790199)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMA86108LZ
ONSEMI
Артикул: 600629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,2А; Idm: 6А; 2,4Вт; MicroFET
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.12 грн
5+
61.97 грн
20+
51.64 грн
53+
49.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
2,2А
Опір в стані провідності
446мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g