0 0 0
  7. FDMB3800N

Транзистори багатоканальні FDMB3800N

 
FDMB3800N
 
ONSEMI
Артикул: 565116
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4,8А; Idm: 9А; 1,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.91 грн
5+
60.22 грн
20+
50.18 грн
55+
47.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,8А(1492240)
Опір в стані провідності
61мОм(1632974)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,6нКл(1609796)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
9А(1790201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMB3800N
ONSEMI
Артикул: 565116
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4,8А; Idm: 9А; 1,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.91 грн
5+
60.22 грн
20+
50.18 грн
55+
47.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,8А
Опір в стані провідності
61мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
9А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g