0 0 0
  8. FDMC4435BZ

Транзистори з каналом P SMD FDMC4435BZ

 
FDMC4435BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140664
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -18А; 31Вт; MLP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.27 грн
10+
62.13 грн
24+
43.30 грн
65+
40.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2978 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MLP8(1509356)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-18А(1478982)
Опір в стані провідності
37мОм(1479006)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
31Вт(1741805)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
53нКл(1479049)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,079 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDMC4435BZ
ONSEMI
Артикул: 140664
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -18А; 31Вт; MLP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.27 грн
10+
62.13 грн
24+
43.30 грн
65+
40.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2978 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MLP8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-18А
Опір в стані провідності
37мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
53нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,079 g