0 0 0
  7. FDMD82100

Транзистори багатоканальні FDMD82100

 
FDMD82100
 
ONSEMI
Артикул: 565126
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 25А; Idm: 80А; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
267.97 грн
5+
200.18 грн
14+
189.02 грн
500+
181.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD82100
ONSEMI
Артикул: 565126
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 25А; Idm: 80А; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
267.97 грн
5+
200.18 грн
14+
189.02 грн
500+
181.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
17нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g