0 0 0
  7. FDMD82100L

Транзистори багатоканальні FDMD82100L

 
FDMD82100L
 
ONSEMI
Артикул: 565127
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
154.86 грн
5+
139.77 грн
9+
116.74 грн
24+
110.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD82100L
ONSEMI
Артикул: 565127
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
154.86 грн
5+
139.77 грн
9+
116.74 грн
24+
110.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
24нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g