0 0 0
  7. FDMD8260L

Транзистори багатоканальні FDMD8260L

 
FDMD8260L
 
ONSEMI
Артикул: 565117
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 40А; Idm: 293А; 37Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
215.22 грн
5+
192.98 грн
7+
160.42 грн
17+
151.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
68нКл(1479515)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
293А(1926678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD8260L
ONSEMI
Артикул: 565117
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 40А; Idm: 293А; 37Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
215.22 грн
5+
192.98 грн
7+
160.42 грн
17+
151.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
68нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
293А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g