Транзистори багатоканальні FDMD8260LET60

 
FDMD8260LET60
 
Артикул: 565144
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 47А; Idm: 304А; 44Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
435.46 грн
4+
324.60 грн
9+
306.26 грн
500+
295.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
44Вт(1596017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
68нКл(1479515)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
304А(1810482)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD8260LET60
ONSEMI
Артикул: 565144
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 47А; Idm: 304А; 44Вт; PQFN12
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
435.46 грн
4+
324.60 грн
9+
306.26 грн
500+
295.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
44Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
68нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
304А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g