0 0 0
  7. FDMD8280

Транзистори багатоканальні FDMD8280

 
FDMD8280
 
ONSEMI
Артикул: 565131
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 40А; Idm: 160А; 38Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
335.77 грн
4+
251.23 грн
11+
236.87 грн
500+
228.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD8280
ONSEMI
Артикул: 565131
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 40А; Idm: 160А; 38Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
335.77 грн
4+
251.23 грн
11+
236.87 грн
500+
228.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
44нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g