0 0 0
  7. FDMD84100

Транзистори багатоканальні FDMD84100

 
FDMD84100
 
ONSEMI
Артикул: 565141
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.11 грн
5+
201.78 грн
6+
167.48 грн
17+
157.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
38мОм(1610034)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
23Вт(1507402)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
16нКл(1479019)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD84100
ONSEMI
Артикул: 565141
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.11 грн
5+
201.78 грн
6+
167.48 грн
17+
157.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
38мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
23Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
16нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g