0 0 0
  7. FDMD86100

Транзистори багатоканальні FDMD86100

 
FDMD86100
 
ONSEMI
Артикул: 565119
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 24А; Idm: 299А; 33Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
322.21 грн
5+
240.06 грн
12+
227.30 грн
500+
218.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
19,5мОм(1759074)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
299А(1926679)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD86100
ONSEMI
Артикул: 565119
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 24А; Idm: 299А; 33Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
322.21 грн
5+
240.06 грн
12+
227.30 грн
500+
218.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
19,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
299А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g