Транзистори багатоканальні FDMD8680

 
FDMD8680
 
Артикул: 565129
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
279.94 грн
5+
208.96 грн
14+
197.79 грн
500+
190.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
42А(1479340)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
39Вт(1708586)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
73нКл(1479024)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
487А(1926626)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMD8680
ONSEMI
Артикул: 565129
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
279.94 грн
5+
208.96 грн
14+
197.79 грн
500+
190.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
42А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
39Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
73нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
487А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g