0 0 0
  8. FDME905PT

Транзистори з каналом P SMD FDME905PT

 
FDME905PT
 
ONSEMI
Артикул: 622857
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
31+
32.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-8А(1479035)
Опір в стані провідності
97мОм(1520447)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDME905PT
ONSEMI
Артикул: 622857
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
31+
32.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-8А
Опір в стані провідності
97мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
20нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g