0 0 0
  7. FDMQ8203

Транзистори багатоканальні FDMQ8203

 
FDMQ8203
 
ONSEMI
Артикул: 564707
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-80В; 6/-6А; 2,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.70 грн
5+
91.37 грн
13+
76.28 грн
36+
72.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
WDFN12(1805282)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
(1996951)
Струм стока
6/-6А(1643328)
Опір в стані провідності
323/191мОм(1926614)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge(1810711)
Заряд затвора
19/5нКл(1926613)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні FDMQ8203
ONSEMI
Артикул: 564707
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-80В; 6/-6А; 2,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.70 грн
5+
91.37 грн
13+
76.28 грн
36+
72.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
WDFN12
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
Струм стока
6/-6А
Опір в стані провідності
323/191мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge
Заряд затвора
19/5нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g