0 0 0
  8. FDMS004N08C

Транзистори з каналом N SMD FDMS004N08C

 
FDMS004N08C
 
ONSEMI
Артикул: 532687
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.10 грн
5+
158.57 грн
9+
121.92 грн
23+
115.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
6,5мОм(1441608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
637А(1898283)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDMS004N08C
ONSEMI
Артикул: 532687
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.10 грн
5+
158.57 грн
9+
121.92 грн
23+
115.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
6,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
55нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
637А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g