0 0 0
  8. FDMS4D0N12C

Транзисторы с каналом N SMD FDMS4D0N12C

 
FDMS4D0N12C
 
ONSEMI
Артикул: 600737
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 114А; Idm: 628А; 106Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
362.30 грн
4+
272.52 грн
10+
258.22 грн
25+
257.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
120В(1520458)
Струм стока
114А(1492244)
Опір в стані провідності
8,8мОм(1479486)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
106Вт(1520842)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
82нКл(1479300)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
628А(1926630)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS4D0N12C
ONSEMI
Артикул: 600737
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 114А; Idm: 628А; 106Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
362.30 грн
4+
272.52 грн
10+
258.22 грн
25+
257.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
120В
Струм стока
114А
Опір в стані провідності
8,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
106Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
82нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
628А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g